IRLR7833TR和IRLR7833TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR7833TR IRLR7833TRPBF IRLR7833

描述 DPAK N-CH 30V 140A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3N沟道 30V 140A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 140W (Tc) 140 W 140W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 140A 140A 140A

输入电容(Ciss) 4010pF @15V(Vds) 4010pF @15V(Vds) 4010pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)

额定电流 - 140 A -

额定功率 - 140 W -

输入电容 - 4010 pF -

上升时间 - 6.9 ns -

额定功率(Max) - 140 W 140 W

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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