对比图
型号 ICTE8CHE3_A/D ICTE8C-E3/51 1N6382-E3/73
描述 Tvs Diode 8vwm 11.6vc 1.5keDiode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE BulkDiode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 二极管二极管TVS二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA
工作电压 - - 8 V
击穿电压 - 9.4 V 9.4 V
钳位电压 - 11.6 V 11.6 V
脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W
最小反向击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V
耗散功率 - 1.5 kW -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA
长度 - 9.5 mm -
高度 - 5.3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Ammo Pack
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free