BSC0904NSI和STSJ100NHS3LL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC0904NSI STSJ100NHS3LL SISA14DN-T1-GE3

描述 INFINEON  BSC0904NSI  晶体管, MOSFET, N沟道, 78 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2 VN沟道30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO - 8的STripFET III功率MOSFET加上单片肖特基 N-channel 30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO-8 STripFET III Power MOSFET plus monolithic schottkyPower Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 PG-TDSON-8 SOIC-8 -

引脚数 8 - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 37 W 3W (Ta), 70W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 20A 20A -

输入电容(Ciss) 1100pF @15V(Vds) 4200pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 37W (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0031 Ω - -

阈值电压 2 V - -

上升时间 4.4 ns - -

额定功率(Max) 37 W - -

下降时间 3 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 PG-TDSON-8 SOIC-8 -

长度 5.9 mm - -

宽度 5.15 mm - -

高度 1.27 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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