FQD3N40和FQD3N40TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD3N40 FQD3N40TF FQD3N40TM

描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETN沟道 400V 2AN沟道 400V 2A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 400 V 400 V

额定电流 - 2.00 A 2.00 A

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

连续漏极电流(Ids) 2A 2.00 A 2.00 A

输入电容(Ciss) - 230pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)

漏源极电阻 - - 3.40 Ω

漏源击穿电压 - - 400 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tape Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台