MJD32RLG和MJD32T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD32RLG MJD32T4 NJVMJD32T4G

描述 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors互补功率晶体管 Complementary Power Transistors互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 - 3

封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3

频率 3 MHz - 3 MHz

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 15 W - 1.56 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V - 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 1.56 W - 1.56 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1560 mW - 1560 mW

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -

额定电流 -3.00 A -3.00 A -

直流电流增益(hFE) 10 - -

封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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