IRFL024Z和IRFL024ZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFL024Z IRFL024ZPBF

描述 SOT-223 N-CH 55V 5.1AINFINEON  IRFL024ZPBF  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.0462 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-261-4 TO-261-4

额定功率 - 2.8 W

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 46.2 mΩ 0.0462 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 1W (Ta) 2.8 W

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 340pF @25V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

漏源击穿电压 55.0V (min) 55 V

连续漏极电流(Ids) 5.10 A 5.1A

上升时间 21.0 ns 21 ns

输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)

下降时间 - 23 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Ta) 2800 mW

额定电压(DC) 55.0 V -

额定电流 1.00 A -

产品系列 IRFL024Z -

长度 - 6.7 mm

宽度 - 3.7 mm

高度 - 1.7 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Bulk Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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