IXTQ102N20T和IXTV102N20T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTQ102N20T IXTV102N20T IXFV96N20P

描述 TO-3P N-CH 200V 102ATrans MOSFET N-CH 200V 102A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

耗散功率 750W (Tc) 750W (Tc) 600W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 6800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 750W (Tc) 750W (Tc) 600W (Tc)

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 102A - -

上升时间 - - 30 ns

下降时间 - - 30 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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