SI9934BDY-T1-E3和SI9934BDY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI9934BDY-T1-E3 SI9934BDY-T1-GE3 SI4913DY-T1-E3

描述 MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOICMOSFET 12V 6.4A 2W 35mohm @ 4.5VMOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 20 V

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1.1 W

极性 Dual P-Channel - P-Channel, Dual P-Channel

连续漏极电流(Ids) -6.40 A - 9.40 A

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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