FJV4110R和FJV4111RMTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJV4110R FJV4111RMTF FJV4112R

描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R=22KΩ)•到FJV3111R补PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

引脚数 - 3 -

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定电压(DC) - -40.0 V -

额定电流 - -100 mA -

耗散功率 - 200 mW -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @1mA, 5V -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 200 MHz -

耗散功率(Max) - 200 mW -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

高度 - 0.93 mm -

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台