对比图
型号 SI2305CDS-T1-GE3 SI2311DS-T1-E3 SI5980DU-T1-GE3
描述 VISHAY SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -5.8A, -8V, 0.028Ω, -4.5V, -1VMOSFET P-CH 8V 3A SOT23MOSFET 100V 2.5A 7.8W 0.567Ω @ 10V
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 ChipFET-8
漏源极电压(Vds) 8 V 8 V 100 V
输入电容(Ciss) 960pF @4V(Vds) 970pF @4V(Vds) 78pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - - 7.8 W
耗散功率 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 710mW (Ta) -
耗散功率(Max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 710mW (Ta) -
漏源极电阻 - 45.0 mΩ -
极性 - P-Channel -
连续漏极电流(Ids) - -3.00 A -
长度 - - 3.05 mm
宽度 - - 1.65 mm
高度 - - 1.1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 ChipFET-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free