IRFZ46ZS和SUD35N05-26L-E3

对比图

型号 IRFZ46ZS SUD35N05-26L-E3 IPD50N06S214ATMA1

描述 D2PAK N-CH 55V 51AMOSFET N-Ch, Vds 55V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 26mohm, Id 35A, TO-252, Pd 7.5WDPAK N-CH 55V 50A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -

额定电流 51.0 A - -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 82W (Tc) 50 W 136W (Tc)

产品系列 IRFZ46ZS - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 51.0 A 35.0 A 50A

上升时间 63.0 ns - -

输入电容(Ciss) 1460pF @25V(Vds) 885pF @25V(Vds) 1485pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 82W (Tc) 7.5W (Ta), 50W (Tc) 136W (Tc)

漏源极电阻 - 0.035 Ω -

输入电容 - 885pF @25V -

漏源击穿电压 - 55 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

额定功率(Max) - 50 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm -

高度 - 2.38 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free