PHP18NQ10T和PHP18NQ10T,127的区别_PHP18NQ10T代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHP18NQ10T PHP18NQ10T,127 934055698127

描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorTO-220AB N-CH 100V 18APower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 SOT-78 TO-220-3 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 79 W -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18.0 A -

上升时间 - 36 ns -

输入电容(Ciss) - 633pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 79 W -

下降时间 - 12 ns -

耗散功率(Max) - 79W (Tc) -

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 18.0 A - -

输入电容 633 pF - -

栅电荷 21.0 nC - -

封装 SOT-78 TO-220-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -