71V256SA20Y和IDT71V256SA20Y

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V256SA20Y IDT71V256SA20Y IDT71V256SB20Y

描述 Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28低功耗3.3V CMOS快速SRAM 256K ( 32K ×8位) LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)3.3V CMOS快速SRAM具有2.5V兼容输入256K ( 32K ×8位) 3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOJ BSOJ-28 SOJ

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

封装 SOJ BSOJ-28 SOJ

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - 3A991 -

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