对比图
型号 IXFA180N10T2 IXTQ200N10T IXTV200N10T
描述 TO-263AA N-CH 100V 180AN沟道 100V 200ATrans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin(3+Tab) PLUS 220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 - -
封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-247-3
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 480 W 550W (Tc) 550 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 180A 200A -
上升时间 37 ns - 31 ns
输入电容(Ciss) 10500pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)
下降时间 13 ns - 34 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 480W (Tc) 550W (Tc) 550W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 5.5 mΩ
漏源击穿电压 - - 100 V
额定功率(Max) - - 550 W
封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-247-3
长度 - - 11 mm
宽度 - - 4.7 mm
高度 - - 15 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free