JAN1N6119US和JANS1N6119US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6119US JANS1N6119US JANTX1N6119US

描述 E-MELF 27.4V 500WE-MELF 27.4V 500WTrans Voltage Suppressor Diode, 500W, 27V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

封装 SQ-MELF E-MELF -

最大反向电压(Vrrm) 27.4V 27.4V -

脉冲峰值功率 500 W 500 W -

最小反向击穿电压 32.49 V - -

封装 SQ-MELF E-MELF -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Contains Lead - -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司