对比图
型号 IXFN44N80 IXFN50N80Q2 APT8014JLL
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 165 mohm, 10 V, 4.5 VIXFN50N80Q2 一个物料配4个螺丝SOT-227 N-CH 800V 42A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Screw Screw
引脚数 3 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 42.0 A
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 700 W 1135 W 595 W
输入电容 - - 7.24 nF
栅电荷 - - 285 nC
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 50A 42.0 A
上升时间 48 ns 25 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 10000pF @25V(Vds) 13500pF @25V(Vds) 7238pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 890 W 595 W
下降时间 24 ns 13 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 700W (Tc) 1135W (Tc) 595W (Tc)
额定功率 700 W 1135 W -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 165 mΩ - -
阈值电压 4.5 V - -
工作结温(Max) 150 ℃ - -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
长度 - 38.23 mm -
宽度 - 25.42 mm -
高度 - 9.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
重量 0.000036 kg - -
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -