IS61QDB22M18-250M3I和IS61QDB22M18-250M3L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61QDB22M18-250M3I IS61QDB22M18-250M3L

描述 SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin LFBGADDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 BGA FBGA-165

电源电压(DC) - 1.80 V, 1.89 V (max)

供电电流 - 700 mA

时钟频率 - 250MHz (max)

位数 18 18

存取时间 - 0.45 ns

内存容量 - 36000000 B

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃

电源电压 - 1.71V ~ 1.89V

封装 BGA FBGA-165

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 - EAR99

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