ZTX601和ZTX690BSTZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX601 ZTX690BSTZ MMBT5089LT1G

描述 ZTX601 系列 160V 1A NPN 硅 平面 中等功率 达林顿晶体管 TO92ZTX690B 系列 NPN 2 A 45 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3ON SEMICONDUCTOR  MMBT5089LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 E-Line-3 E-Line-3 SOT-23-3

频率 - 150 MHz 50 MHz

额定电压(DC) 160 V 45.0 V 25.0 V

额定电流 1.00 A 2.00 A 50.0 mA

额定功率 - 1 W -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1 W 1 W 225 mW

增益频宽积 - 150 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 160 V 45 V 25 V

集电极最大允许电流 1A 2A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 400 @1A, 2V 400

最大电流放大倍数(hFE) - 500 @100mA, 2V -

额定功率(Max) 1 W 1 W 300 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1 W 1000 mW 300 mW

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 50

增益带宽 250 MHz - -

长度 - 4.77 mm 3.04 mm

宽度 - 2.41 mm 2.64 mm

高度 - 4.01 mm 1.11 mm

封装 E-Line-3 E-Line-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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