MC33201PG和TS921IN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33201PG TS921IN MC33201DR2G

描述 低压,满幅输入/输出STMICROELECTRONICS  TS921IN  运算放大器, 单路, 4 MHz, 1个放大器, 1.3 V/µs, 2.7V 至 12V, DIP, 8 引脚MC 系列 1 V/us 12 V 低压 轨对轨 运算放大器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 5.00 V 3.00 V -

供电电流 900 µA 1 mA 900 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 60 dB - 90 dB

带宽 2.2 MHz 4 MHz 2.2 MHz

转换速率 1.00 V/μs 1.30 V/μs 1.00 V/μs

增益频宽积 2.2 MHz 4 MHz 2.2 MHz

输入补偿电压 6 mV 3 mV 6 mV

输入偏置电流 80 nA 15 nA 80 nA

工作温度(Max) 105 ℃ 125 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 2.2 MHz 4 MHz 2.2 MHz

电源电压 1.8V ~ 12V 2.7V ~ 12V 1.8V ~ 12V

电源电压(Max) 12 V - 12 V

电源电压(Min) 1.8 V - 1.8 V

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 - 80 mA 80 mA

针脚数 - 8 8

共模抑制比(Min) - 60 dB 60 dB

长度 9.27 mm 9.8 mm -

宽度 6.35 mm 7.1 mm 4 mm

高度 5.33 mm 3.3 mm -

封装 DIP-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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