对比图
型号 IRLZ44NS IRLZ44NSPBF IRLZ44NSTRLPBF
描述 D2PAK N-CH 55V 47AN 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 55.0 V - 55.0 V
额定电流 47.0 A - 47.0 A
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 110 W 3.8 W
产品系列 IRLZ44NS - IRLZ44NS
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 47.0 A 47A 47.0 A
上升时间 84 ns 84 ns 84.0 ns
输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 3.8 W
额定功率 - 110 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 22.0 mΩ (max) 0.022 Ω -
阈值电压 - 2 V -
漏源击穿电压 55.0V (min) 55 V -
下降时间 15 ns 15 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3800 mW 3.8W (Ta), 110W (Tc) -
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
材质 Silicon - -