CMLT3904E和MMDT3904V-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CMLT3904E MMDT3904V-7 MMDT3904V

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Complementary EnhancedMMDT3904V 系列 双 NPN 40 V 200 mW 小信号 晶体管 - SOT-563SOT-563 Plastic-Encapsulate Biploar TransistorsO

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Diodes (美台) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-563-6 SOT-563-6 -

引脚数 - 6 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 350 mW 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A -

最小电流放大倍数(hFE) 90 100 @10mA, 1V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -

频率 - 300 MHz -

额定电压(DC) - 40.0 V -

额定电流 - 200 mA -

增益频宽积 - 300 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 400 -

额定功率(Max) - 200 mW -

直流电流增益(hFE) - 100 -

耗散功率(Max) - 200 mW -

长度 1.6 mm 1.6 mm -

宽度 1.2 mm 1.2 mm -

高度 0.58 mm 0.6 mm -

封装 SOT-563-6 SOT-563-6 -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Design Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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