对比图
型号 BSM200GAL120DN2 GP200MLS12 FD150R12RT4
描述 IGBT功率模块（单联开关与断路器二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Package with insulated metal base plate)IGBT Chopper Module Preliminary InformationINFINEON FD150R12RT4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Dynex Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管
封装 HB 200GAL - -
安装方式 - - Screw
引脚数 - - 5
耗散功率 1.4 kW - 790 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃
额定功率 - - 790 W
针脚数 - - 5
极性 - - N-Channel
击穿电压(集电极-发射极) - - 1200 V
输入电容(Cies) - - 9.3nF @25V
额定功率(Max) - - 790 W
长度 106.4 mm - -
宽度 61.4 mm - -
高度 30.9 mm - -
封装 HB 200GAL - -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - 无铅
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - - -40℃ ~ 150℃