对比图
型号 HAT2266H-EL-E PH3855L,115 PSMN030-60YS,115
描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingLFPAK N-CH 55V 24ALFPAK N-CH 60V 29A
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 5 5
封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669-4
通道数 - - 1
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 23 W 50 W 56 W
阈值电压 - - 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 30A 24A 29A
上升时间 15 ns 93 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 3600pF @10V(Vds) 765pF @25V(Vds) 686pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 23 W 50 W 56 W
下降时间 5.5 ns 72 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 23W (Tc) 50W (Tc) 56W (Tc)
高度 - 1.1 mm 1.1 mm
封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669-4
长度 - 5 mm -
宽度 - 4.1 mm -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free