对比图
型号 CY7C1418BV18-250BZC CY7C1418KV18-250BZXC CY7C1418AV18-200BZXC
描述 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1418JV18 36 Mb (2 M x 18) 250 MHz 1.8 V DDR-II 2-字突发 SRAM -FBGA-16536兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片
引脚数 165 165 -
封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -
电源电压(DC) - - 1.80 V, 1.90 V (max)
时钟频率 - 250 MHz 200MHz (max)
存取时间 - 1 ms 0.45 ns
内存容量 - - 36000000 B
供电电流 - 430 mA -
位数 - 18 -
存取时间(Max) - 0.45 ns -
电源电压(Max) - 1.9 V -
电源电压(Min) - 1.7 V -
高度 0.89 mm 0.89 mm -
封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray, Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - 3A991.b.2.a -