对比图
型号 NTMD2P01R2G RF1K49093 NTMD2P01R2
描述 2.3A,-16V,双P沟道MOSFET2.5A ， 12V ， 0.130欧姆，逻辑电平，双P沟道LittleFET⑩功率MOSFET 2.5A, 12V, 0.130 Ohm, Logic Level, Dual P-Channel LittleFET⑩ Power MOSFETNTMD2P01R2 P沟道MOS场效应管 -16V -2.3A 150毫欧 Vth:-0.5~-1.5V 8脚 marking/标记 D2P01 功率MOSFET 低导通电阻 便携式设备应用
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 SOIC-8 - SOIC-8
额定电压(DC) -16.0 V - -16.0 V
额定电流 -2.30 A - -2.30 A
漏源极电阻 100 mΩ - 100 mΩ
极性 Dual P-Channel, P-Channel - P-Channel
耗散功率 2.00 W - 2.00 W
漏源极电压(Vds) 16 V - 16 V
栅源击穿电压 ±10.0 V - ±10.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.30 A, -3.85 A - 2.30 A
输入电容(Ciss) 750pF @16V(Vds) - 750pF @16V(Vds)
额定功率(Max) 710 mW - 710 mW
封装 SOIC-8 - SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant
含铅标准 Lead Free - Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -