IDT71V124SA10PH和IDT71V124SA10PHG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71V124SA10PH IDT71V124SA10PHG 71V124SA10PHG

描述 3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 128K ×8位)中心电源和接地引脚 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground PinoutSRAM(静态随机存取存储器)SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 10ns 32Pin TSOP-II Tube

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 32 32

封装 SOIC-32 SOIC-32 TSOP-32

供电电流 - - 145 mA

存取时间 - - 10 ns

存取时间(Max) - - 10 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.6V - 3.15V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3.15 V

长度 - 20.95 mm 20.9 mm

宽度 - 10.16 mm 10.2 mm

高度 - 1 mm 1 mm

封装 SOIC-32 SOIC-32 TSOP-32

厚度 - - 1.00 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991 3A991.a.2.a -

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