对比图
型号 IXFT60N25Q IXTH60N25
描述 TO-268 N-CH 250V 60ATrans MOSFET N-CH 250V 60A 3Pin(3+Tab) TO-247AD
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole
封装 TO-268-3 TO-247-3
极性 N-CH -
耗散功率 360W (Tc) 400 W
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 60A -
输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 360W (Tc) 400W (Tc)
通道数 - 1
漏源极电阻 - 46 mΩ
漏源击穿电压 - 250 V
上升时间 - 23 ns
额定功率(Max) - 400 W
下降时间 - 17 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃
封装 TO-268-3 TO-247-3
长度 - 16.26 mm
宽度 - 5.3 mm
高度 - 21.46 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free