TSH330ID和TSH330IDT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TSH330ID TSH330IDT

描述 1.1 GHz的低噪声运算放大器 1.1 GHz Low-Noise Operational Amplifier1.1 GHz的低噪声运算放大器 1.1 GHz Low-Noise Operational Amplifier

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 16.6 mA 16.6 mA

电路数 1 1

通道数 1 1

耗散功率 830 mW 830 mW

共模抑制比 50 dB 50 dB

转换速率 1.80 kV/μs 1.80 kV/μs

增益频宽积 - 1.1 GHz

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃

3dB带宽 1.5 GHz 1.5 GHz

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V

电源电压(DC) 5.50 V -

输出电压 1.64 V -

输出电流 453mA @2.5V -

带宽 1.10 GHz -

输入补偿电压 180 µV -

输入偏置电流 26 µA -

耗散功率(Max) 830 mW -

共模抑制比(Min) 50 dB -

长度 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm

高度 1.25 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

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