BUK9E06-55B,127和IRF1405ZLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9E06-55B,127 IRF1405ZLPBF BUK9E4R4-40B,127

描述 I2PAK N-CH 55V 146AN沟道 55V 75AI2PAK N-CH 40V 174A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 258W (Tc) 230 W 254 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 146A 150A 174A

输入电容(Ciss) 7565pF @25V(Vds) 4780pF @25V(Vds) 7124pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 258 W - 254 W

耗散功率(Max) 258W (Tc) 230W (Tc) 254W (Tc)

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

长度 - 10.2 mm -

宽度 - 4.5 mm -

高度 - 9.45 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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