JAN2N1613和JANTXV2N3500

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N1613 JANTXV2N3500 JANTX2N1613

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN Bipolar junction transistor 150VNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Semicoa Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-205 TO-39 TO-205

极性 NPN - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 30 V

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V - 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW - 800 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW - 800 mW

耗散功率 - - 0.8 W

封装 TO-205 TO-39 TO-205

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bag - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead -

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