对比图
型号 BZT55C4V7 BZT55C4V7-GS08
描述 500mW，BZT55C 系列，Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳：QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213) ### 齐纳二极管，Taiwan SemiconductorVISHAY BZT55C4V7-GS08 单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 4.7 V, 500 mW, MiniMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
数据手册 --
制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 齐纳二极管齐纳二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 2
封装 Quadro-Melf-2 SOD-80
针脚数 2 2
耗散功率 500 mW 500 mW
稳压值 4.7 V 4.7 V
工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
测试电流 5 mA 5 mA
耗散功率(Max) 500 mW 500 mW
容差 - ±5 %
额定功率 - 0.5 W
正向电压 - 1.5V @200mA
额定功率(Max) - 500 mW
封装 Quadro-Melf-2 SOD-80
长度 3.7 mm 3.7 mm
宽度 1.6 mm -
高度 1.8 mm 1.5 mm
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
含铅标准 - Lead Free
工作温度 - -65℃ ~ 175℃
ECCN代码 - EAR99