对比图
型号 IRFPG30PBF IXFH12N100F IXFH6N100
描述 功率MOSFET Power MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100F 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFH6N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3
额定电压(DC) - - 1.00 kV
额定电流 - - 6.00 A
额定功率 - - 180 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 5 Ω 1.05 Ω 2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 300 W 180 W
阈值电压 4 V 3 V 4.5 V
漏源极电压(Vds) 1000 V 1 kV 1 kV
连续漏极电流(Ids) 3.10 A - 6.00 A
上升时间 24 ns 9.8 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 980pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W - 180 W
下降时间 29 ns 12 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125 W 300W (Tc) 180W (Tc)
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3
长度 15.87 mm - -
宽度 5.31 mm - -
高度 20.7 mm - -
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tube
最小包装 500 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2014/06/16
香港进出口证 - - NLR