对比图
型号 MTD9N10E MTD9N10ET4 NTD6416ANT4G
描述 POWER MOSFET 9 AMPS ， 100伏 POWER MOSFET 9 AMPS, 100 VOLTSMTD9N10ET4 N沟道MOSFET 100V 9A TO-252/D-PAK marking/标记 高速开关/低导通电阻ON SEMICONDUCTOR NTD6416ANT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.073 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 DPAK TO-252 TO-252-3
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.073 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 - - 71 W
阈值电压 - - 2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 - - 22 ns
输入电容(Ciss) - - 620pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 71 W
下降时间 - - 20 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 71W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 9A 9A -
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.38 mm
封装 DPAK TO-252 TO-252-3
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2016/06/20