对比图
型号 IXTT10N100D IXTT10N100D2 IXFH10N100P
描述 Mosfet n-Ch 1000V 10A To-268TO-268 N-CH 1000V 10ATO-247 N-CH 1000V 10A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-247-3
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 400W (Tc) 695000 mW 380 W
阈值电压 - - 6.5 V
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) - 10A 10A
上升时间 - 36 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 5320pF @25V(Vds) 3030pF @25V(Vds)
下降时间 - 164 ns 75 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400W (Tc) 695W (Tc) 380W (Tc)
封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free