对比图
型号 IXFX100N25 IXTQ100N25P IXTQ96N25T
描述 PLUS N-CH 250V 100AIXYS SEMICONDUCTOR IXTQ100N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 250 V, 27 mohm, 10 V, 5 VTO-3P N-CH 250V 96A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-3-3
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 560W (Tc) 600 W 625W (Tc)
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 100A 100 A 96A
上升时间 55 ns 26 ns -
输入电容(Ciss) 9100pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 6100pF @25V(Vds)
下降时间 40 ns 28 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 560W (Tc) 600W (Tc) 625W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.027 Ω -
阈值电压 - 5 V -
输入电容 - 6300 pF -
额定功率(Max) - 600 W -
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-3-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -