对比图
型号 PMZ250UN PMZ250UN,315
描述 Power Field-Effect TransistorNXP PMZ250UN,315 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.25 ohm, 4.5 V, 700 mV
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 - SOT-883
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.25 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 - 2.5 W
阈值电压 - 700 mV
漏源极电压(Vds) - 20 V
连续漏极电流(Ids) - 2.28 A
输入电容(Ciss) - 45pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5W (Tc)
通道数 - -
漏源击穿电压 - -
上升时间 - -
下降时间 - -
长度 - 1.02 mm
宽度 - 0.62 mm
高度 - 0.47 mm
封装 - SOT-883
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17