对比图
型号 PSMN2R5-30YL PSMN2R5-30YL,115
描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
封装 LFPAK SOT-669-4
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 4
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 88.0 W 88 W
漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 100 A 100 A
通道数 - 1
漏源极电阻 - 0.00179 Ω
阈值电压 - 1.7 V
上升时间 - 62 ns
输入电容(Ciss) - 3468pF @12V(Vds)
额定功率(Max) - 88 W
下降时间 - 25 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 88W (Tc)
封装 LFPAK SOT-669-4
宽度 - 4.1 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)