对比图
描述 100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB22P10TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -22 A, -100 V, 96 mohm, -10 V, -4 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 D2PAK TO-263-3
额定电压(DC) - -100 V
额定电流 - -22.0 A
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 96 mΩ
极性 P-CH P-Channel
耗散功率 - 3.75 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 22A 15.6 mA, -22.0 A
上升时间 - 170 ns
输入电容(Ciss) - 1500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.75 W
下降时间 - 110 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 125W (Tc)
阈值电压 - -
长度 - 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm
高度 - 4.83 mm
封装 D2PAK TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99
香港进出口证 NLR -