IXKN75N60和IXKN75N60C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXKN75N60 IXKN75N60C IXFN70N60Q2

描述 CoolMOS Power MOSFETSOT-227B N-CH 600V 75ATrans MOSFET N-CH 600V 70A 4Pin SOT-227B

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 4

封装 - SOT-227-4 SOT-227-4

耗散功率 - 560W (Tc) 890 W

漏源极电压(Vds) - 600 V 600 V

上升时间 - 30 ns 25 ns

输入电容(Ciss) - - 7200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 890 W

下降时间 - 10 ns 12 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 560W (Tc) 890W (Tc)

极性 - N-CH -

连续漏极电流(Ids) - 75A -

封装 - SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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