对比图
型号 IPP60R165CP SIHP22N60E-GE3 IRFZ14
描述 INFINEON IPP60R165CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) VISHAY (威世) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.15 Ω 0.15 Ω 200 mΩ (max)
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 192 W 227 W 43.0 W
阈值电压 3 V 2 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21A 10.0 A
上升时间 5 ns 68 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 2000pF @100V(Vds) 1920pF @100V(Vds) 300pF @25V(Vds)
下降时间 5 ns 54 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 192 W 227 W -
额定电压(DC) 600 V - 60.0 V
额定电流 21.0 A - 10.0 A
漏源击穿电压 - - 60.0V (min)
额定功率(Max) 192 W - 43 W
输入电容 2.00 nF - -
栅电荷 52.0 nC - -
长度 10.36 mm 10.51 mm -
宽度 4.57 mm 4.65 mm -
高度 9.45 mm 9.01 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended Active -
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
香港进出口证 - NLR -