BSO604NS2和SI9945AEY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO604NS2 SI9945AEY-T1-E3 STS4DNF60L

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorMOSFET, Power; Dual N; 60V; + 20V; 2.4W; SO-8; 75A (Continuous); -55℃STMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SO-8 SO-8 SOIC-8

额定电压(DC) 55.0 V - 60.0 V

额定电流 5.00 A - 4.00 A

通道数 2 - 2

极性 N-CH - N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2.4 W 2.5 W

阈值电压 1.2 V, 1.2 V - 1.7 V

输入电容 870 pF - -

栅电荷 26.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 55.0 V - 60 V

漏源击穿电压 ±55 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A - 4.00 A

上升时间 8 ns - 28 ns

下降时间 8 ns - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 0.08 Ω 0.045 Ω

栅源击穿电压 - - ±15.0 V

输入电容(Ciss) - - 1030pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2 W

耗散功率(Max) - - 2000 mW

热阻 - 93℃/W (RθJA) -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.75 mm - 1.25 mm

封装 SO-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台