BF370R和MPS3646G

对比图

型号 BF370R MPS3646G BF370,112

描述 0.5W(1/2W) High Voltage NPN Plastic Leaded Transistor. 15V Vceo, 0.1A Ic, 40 hFETO-92 NPN 15V 0.3ASPT NPN 15V 0.1A

数据手册 ---

制造商 Continental Device ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-92-3 TO-226-3

引脚数 - 3 -

极性 - N-Channel NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V 15 V

集电极最大允许电流 - 0.3A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 30 40 @10mA, 1V

额定功率(Max) - 625 mW 500 mW

额定电压(DC) - 15.0 V -

额定电流 - 300 mA -

耗散功率 - 1.5 W -

增益频宽积 - 350 MHz -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 625 mW -

封装 - TO-92-3 TO-226-3

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free