对比图
型号 IPP039N04LGHKSA1 IPP039N04LGXKSA1
描述 TO-220 N-CH 40V 80AInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04LGXKSA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 94W (Tc) 94 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A
输入电容(Ciss) 6100pF @25V(Vds) 6100pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 94W (Tc) 94W (Tc)
额定功率 - 94 W
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0031 Ω
阈值电压 - 1.2 V
上升时间 - 5.4 ns
额定功率(Max) - 94 W
下降时间 - 6 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
长度 10 mm 10 mm
宽度 4.4 mm 4.4 mm
高度 15.65 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17