对比图
型号 FQA18N50V2 STW20NM50FD FDA20N50F
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STW20NM50FD 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 VUniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3
引脚数 - 3 2
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 20.0 A 20.0 A -
漏源极电阻 265 mΩ 0.25 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 277W (Tc) 214 W 388 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A 22A
输入电容(Ciss) 3290pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 3390pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 277 W 214 W 388 W
耗散功率(Max) 277W (Tc) 214W (Tc) 388W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4 V -
上升时间 - 20 ns 120 ns
下降时间 - 15 ns 60 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃ -55 ℃
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3
长度 - 15.75 mm 15.8 mm
宽度 - 5.15 mm 5 mm
高度 - 20.15 mm 20.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 NLR NLR -