71124S12YG8和CY7C1019BN-12VC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71124S12YG8 CY7C1019BN-12VC IS63LV1024-12KL

描述 SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32Pin SOJ T/R128K ×8静态RAM 128K x 8 Static RAM1Mb, High-Speed, Async, 128K x 8, 12ns, 3.3V, 32Pin SOJ (400 mil), RoHS

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 BSOJ-32 SOJ SOJ-32

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 160 mA - 130 mA

位数 - - 8

存取时间 12 ns - 12 ns

内存容量 - - 1000000 B

存取时间(Max) - 12 ns 12 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

封装 BSOJ-32 SOJ SOJ-32

长度 20.9 mm - -

宽度 10.2 mm - -

厚度 2.20 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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