对比图
型号 IRFB42N20D IRFB42N20DPBF
描述 TO-220AB N-CH 200V 44AINFINEON IRFB42N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42.6 A, 200 V, 55 mohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 200 V -
额定电流 42.0 A -
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 2.4W (Ta), 330W (Tc) 300 W
产品系列 IRFB42N20D -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 44A
上升时间 69 ns 69 ns
输入电容(Ciss) 3430pF @25V(Vds) 3430pF @25V(Vds)
下降时间 32 ns 32 ns
耗散功率(Max) 2.4W (Ta), 330W (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc)
额定功率 - 300 W
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.055 Ω
阈值电压 - 5.5 V
输入电容 - 3430 pF
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bulk Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17