对比图
型号 IRFW530A PHB18NQ10T FQB19N10
描述 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETN沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)
分类
封装 D2PAK TO-263 D2PAK
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
极性 - - N-CH
漏源极电压(Vds) - - 100 V
连续漏极电流(Ids) - - 19A