KSC1623和MMBT3416LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSC1623 MMBT3416LT3G BC818-16

描述 低频放大器及高频振荡器 Low Frequency Amplifier & High Frequency OSCNPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管Transistor: NPN; bipolar; 25V; 800mA; 310mW; SOT23

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

耗散功率 - 0.3 W 310 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 310 mW

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 40 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

频率 - 75 MHz -

额定电压(DC) - 25.0 V -

额定电流 - 100 mA -

针脚数 - 3 -

最小电流放大倍数(hFE) - 75 @2mA, 4.5V -

额定功率(Max) - 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 75 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 2.64 mm -

高度 - 1.11 mm -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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