对比图
型号 6116SA45TPG IDT6116LA45TDB 8403609LA
描述 SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 45ns 24Pin PDIP TubeCMOS静态RAM 16K （ 2K ×8位） CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 45ns 24Pin CDIP
数据手册 ---
制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) E2V
分类 存储芯片
封装 DIP DIP DIP
安装方式 Through Hole - -
引脚数 24 - 24
封装 DIP DIP DIP
高度 3.3 mm - -
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead -
ECCN代码 - 3A001 3A001.a.2.c
工作温度(Max) 70 ℃ - 125 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ - -55 ℃
位数 - - 8
存取时间(Max) - - 45 ns