对比图
型号 IXGP20N120B3 IXGP7N60B IXGP16N60B2
描述 IGBT 分立，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin(3+Tab) TO-220ABTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin(3+Tab) TO-220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 - -
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 180 W 54 W 150 W
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 180 W - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.66 mm - -
宽度 4.83 mm - -
高度 16 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free